拉曼光谱对于分子键合以及样品的结构非常敏感，因而每种分子或样品都会有其特有的光谱“指纹”。这些“指纹”可以用来进行化学鉴别、形态与相、内压力/应力以及组成成份等方面的研究和分析。拉曼光谱的信号非常微弱，大致是瑞利散射的10e-61 ~1 0e-8的级别，普通的设计取得拉曼信号非常困难，所以需要加上较好的陷波滤波片尽量的消减瑞利散射。这样，拉曼信号依然和背景大致相当，甚至---，还需要考虑光谱仪本身的杂散光阻挡能力，使用何种探测器，可见光拉曼光谱仪配件厂家，样本是否有荧光干扰等等。
光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，可见光拉曼光谱仪配件厂家，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即eg 当光在半导体中传输时，可见光拉曼光谱仪配件厂家，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收主要的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收---。 uv~vis~nir范围，许多不同的波长常用于拉曼光谱中。为特定的应用选择理想的激光波长并不总是显而易见的。为了优化拉曼光谱实验，必须考虑许多变量，其中许多变量与波长选择有关。 首先，拉曼信号本身就很弱。它依赖于样品材料中的光子-声子相互作用，这个事件概率通常不足百万分之一。 此外，拉曼散射强度与激光波长的四次方成反比，这意味着波长越长，合肥可见光拉曼光谱仪配件，拉曼信号越弱。 其次，探测器的灵敏度也取决于波长范围。目前常用的拉曼信号检测方法是ccd。这些ccd器件的效率在超过800nm时下降得相当快。对于超过800 nm的激光激发，可以使用ingaas阵列器件，但这些器件会带来更高的噪声水平、---的灵敏度和更高的成本。拉曼信号强度和检测灵敏度的波长依赖性似乎都指向使用更短的波长照明(紫外和可见)，而不是更长的波长(近红外)。 然而，对于更短的波长照明，有一个挑战需要克服:荧光发射。许多材料在短波激发下发出荧光，荧光可以淹没微弱的拉曼信号。
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