光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即eg 当光在半导体中传输时，探测器价格，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收主要的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收---。 发光二极管和半导体激光器的输出频谱是随机起伏的。严格说来具有非相干性。但是，如果利用将光功率变为电信号电压的普通的光探测器，以进行包络线检波，即使改变光频谱，探测器公司，也能准确地读取调制的电信号，这种普通的光探测器是把功率(与电压的平方成正比)转换为电信号，因而叫做平方律检波。值得注意的是，应该解调的电信号大小所受损耗与光损耗的平方成正比。与此相反，正在研究的外插方式是利用相位干涉的方式，被认为是未来方式。 红外光子探测器一般由半导体材料制成， 光子直接激发光敏材料的束缚电子成导电电子， 满足一定能量的光子才能产生激发作用，舟山探测器， 因此光敏材料的禁带宽度或杂质能级决定了其响应波长， 称响应对波长有选择性。针对应用广的三个---透过窗口， 发展了1 ～ 3μm的短波红外(swir)、3 ～ 5μm的中波红外(mwir)和8 ～ 14μm 的长波红外(lwir)探测器。光子探测器灵敏度高， 响应快， 但大多在低温工作， 需要制冷。焦平面阵列是新型红外器件， 有些分立式探测器(如光导型探测器)不适宜焦平面结构;而另一些器件， 作为分立型器件使用时， 性能无优势， 基本不用， 但由于其材料均匀性好、便于---集成和便于与硅信号处理电路集成而出现在焦平面的行列中。
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