检查和测量水质的光学方法紫外吸收测量溶解的有机分子通常在紫外 (uv) 波段表现出强吸收。该方法通过测量污染物对紫外光的吸光度来确定工业排水与河水中存在的有机污染物。
总氮测量氮测量的一种方法是将溶解的氮转化为盐。紫外吸收光谱法（通常在 220 nm 处）是测量这些盐的---技术。
总磷测量测量溶解的磷可能具有挑战性。一种常见的技术是通过化学反应处理样品以产生钼蓝。880 nm 附近的吸收测量值可能与磷的浓度相关。
荧光测定通过对工厂和容器排水照射紫外光并测量产生的荧光来测量油和多环芳烃 (pah) 含量。
原子荧光光谱测定 (afs)原子吸收特定波长的光，然后吸收的光以荧光的形式重新发射。原子荧光光谱测定是一种检测这种荧光并确定元素的分析方法。它可以高灵敏度测量 ppt（万亿分之一）级的等元素。
原子吸收光谱测定 (aas)该分析方法通过热解离在雾化的样品上照射特定波长的光并测量吸收光谱来确定原子的数量。由于这种方法不易受到光谱干涉，巴彦淖尔探测器，因此可用于分析各个领域的元素（作为主要组分或痕量组分存在）。
光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即eg 当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收主要的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收---。 探测器灵敏度：大多数色散拉曼光谱仪采用ccd(电荷耦合器件)探测器。它们是硅元素的一维或二维阵列。一般来说，工作温度每下降5度，ccd的暗噪声就会降低50%。大多数研究级摄谱仪采用真空密封阵列，工作温度在-50至-90℃之间，灵敏度。更温暖、的探测器可用于灵敏度较低的应用。
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